GB 50826-2012 電磁波暗室工程技術(shù)規(guī)范 （完整版）
1 總 則
1.0.1 為規(guī)范電磁波暗室的設(shè)計(jì)、施工及驗(yàn)收，確保電磁波暗室工程技術(shù)先進(jìn)、經(jīng)濟(jì)合理、安全適用，制定本規(guī)范。
1.0.2 本規(guī)范適用于新建、改建和擴(kuò)建電磁波暗室的沒(méi)計(jì)、施工和驗(yàn)收。
1.0.3 電磁波暗室的設(shè)計(jì)、施工和驗(yàn)收除應(yīng)符合本規(guī)范外，尚應(yīng)符合國(guó)家現(xiàn)行有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定。
2 術(shù) 語(yǔ)
2.0.1 暗室 anechoic enclosure
主要采用電磁波能量吸收技術(shù)建造的房間。試驗(yàn)中在指定區(qū)域有要求的電磁信號(hào)和限定的電磁背景雜波的環(huán)境。
2.0.2 功能性房間 functional room
配合暗室對(duì)受試設(shè)備進(jìn)行測(cè)試的房間。
2.0.3 電磁環(huán)境 electromagnetic environment
存在于給定場(chǎng)所的所有電磁現(xiàn)象的總和。
2.0.4 暗室電磁背景雜波 electromagnetic noise of anechoic enclosure
暗室內(nèi)非測(cè)量要求電磁能譜的總和。
2.0.5 暗室靜區(qū) quiet zone of anechoic enclosure
暗室內(nèi)電磁信號(hào)和電磁背景雜波均能滿足受試設(shè)備性能測(cè)試要求的空間區(qū)域。
2.0.6 靜區(qū)靜度 performance of quiet zone
靜區(qū)范圍內(nèi)電磁背景雜波電平與測(cè)試信號(hào)電平比值之對(duì)數(shù)值，單位是分貝（dB）。
2.0.7 靜區(qū)電磁信號(hào)特性 signal performance of quiet zone
靜區(qū)范圍內(nèi)電磁波信號(hào)的特性。
2.0.8 主反射區(qū) principal reflection zone
暗室內(nèi)壁面對(duì)入射的測(cè)試信號(hào)電磁波產(chǎn)生指向靜區(qū)方向反射的重點(diǎn)區(qū)域。
2.0.9 遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū) far-field regions
電磁場(chǎng)隨角度的分布基本上與天線距離無(wú)關(guān)的天線場(chǎng)區(qū)。
2.0.10 近場(chǎng)區(qū) near-field regions
場(chǎng)矢量的角度分布與發(fā)射點(diǎn)源距離相關(guān)的場(chǎng)區(qū)。
2.0.11 緊縮場(chǎng)區(qū) compact regions
采用技術(shù)手段，在輻射近場(chǎng)區(qū)內(nèi)實(shí)現(xiàn)幅度和相位的均勻性都能夠滿足電磁測(cè)試要求的區(qū)域。
2.0.12 場(chǎng)均勻性 amplitude uniformity
規(guī)定區(qū)域內(nèi)測(cè)試信號(hào)電磁場(chǎng)強(qiáng)度和相位分布的一致性。
2.0.13 交叉極化隔離度 cross-polarization isolation
在收發(fā)天線之間，電磁波在水平和垂直兩個(gè)極化方向強(qiáng)度的隔離程度。
2.0.14 多路徑傳輸損耗 multipath transmisson loss
電磁波在多條路徑傳輸中能量疊加而引起的衰減。
2.0.15 輻射功率密度 density of radiation power
在垂直于電磁波傳播方向的橫截面內(nèi)，每單位面積輻射的功率值。
2.0.16 電磁波吸波材料 electromagnetic wave absorbing materials
專用于吸收入射電磁波能量的材料。
2.0.17 吸收性能 absorber performance
電磁波吸波材料對(duì)投射到材料上的電磁波能量的吸收能力。
2.0.18 電磁屏蔽 electromagnetic shield
用導(dǎo)電或?qū)Т挪牧辖Y(jié)構(gòu)體衰減電磁波向指定區(qū)域傳輸?shù)拇胧?br />
2.0.19 電磁屏蔽室 electromagnetic shield room
采用電磁屏蔽和其他技術(shù)建造，房間關(guān)閉狀態(tài)下能對(duì)內(nèi)、外電磁環(huán)境實(shí)現(xiàn)一定程度隔離的房間。
3 基本規(guī)定
3.0.1 電磁波暗室工程建設(shè)除應(yīng)包括主體房間暗室建設(shè)外，還應(yīng)包括配合暗室開(kāi)展測(cè)試的其他設(shè)施建設(shè)，以及建筑工程的支撐建設(shè)。
3.0.2 暗室與所在建筑物的工程劃分應(yīng)以暗室結(jié)構(gòu)外表面分界。界線內(nèi)應(yīng)為暗室工程，界線外應(yīng)為建筑工程。
3.0.3 暗室工程的設(shè)計(jì)、招投標(biāo)、施工和驗(yàn)收應(yīng)獨(dú)立于建筑工程開(kāi)展。
3.0.4 新建電磁波暗室應(yīng)先有暗室總體方案，再對(duì)支撐的建筑物進(jìn)行設(shè)計(jì)。
3.0.5 改造項(xiàng)目在可實(shí)現(xiàn)總體方案的基礎(chǔ)上，對(duì)暗室性能技術(shù)的要求應(yīng)與暗室工程技術(shù)水平相適應(yīng)。
3.0.6 暗室靜區(qū)的電磁信號(hào)環(huán)境和電磁背景雜波環(huán)境，應(yīng)滿足受試設(shè)備測(cè)量項(xiàng)目的要求。
3.0.7 暗室內(nèi)的電磁環(huán)境性能驗(yàn)收應(yīng)通過(guò)測(cè)量確認(rèn)。
3.0.8 作業(yè)人操作位容許微波輻射平均功率密度限量值超過(guò)現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《作業(yè)場(chǎng)所微波輻射衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)》GB 10436、超高頻輻射功率密度限值超過(guò)現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《作業(yè)場(chǎng)所超高頻輻射衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)》GB 10437或公眾照射導(dǎo)出限值超過(guò)現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電磁輻射防護(hù)規(guī)定》GB 8702規(guī)定的暗室及相關(guān)房間時(shí)，應(yīng)采取下列措施：
1 對(duì)暗室或房間應(yīng)采取電磁屏蔽。屏蔽效果必須確保泄漏到室外的電磁波能量功率密度控制到安全限值以下。
2 在強(qiáng)功率照射區(qū)域的周邊應(yīng)設(shè)置警示標(biāo)志。
3 在強(qiáng)功率照射區(qū)域的中心和界面處應(yīng)裝設(shè)強(qiáng)功率照射報(bào)警探頭，確保在強(qiáng)功率照射狀態(tài)下，通過(guò)報(bào)警器發(fā)送警示信號(hào)。
4 受強(qiáng)功率照射部位所敷設(shè)的吸波材料，必須選擇耐高功率吸波材料。
3.0.9 暗室主體工程應(yīng)進(jìn)行結(jié)構(gòu)安全計(jì)算。
3.0.10 電磁波暗室的火災(zāi)危險(xiǎn)性類別應(yīng)為丁類或戊類。主體結(jié)構(gòu)耐火等級(jí)不應(yīng)低于二級(jí)。
3.0.11 建筑工程公用專業(yè)對(duì)暗室提供的系統(tǒng)方案應(yīng)滿足暗室使用要求。
3.0.12 電磁波暗室設(shè)計(jì)應(yīng)依據(jù)下列基礎(chǔ)資料：
1 電磁波暗室建設(shè)項(xiàng)目的總體要求。
2 電磁波暗室的組成、規(guī)模和特殊要求。
3 暗室內(nèi)測(cè)試系統(tǒng)設(shè)備配置和安裝布局要求。
4 對(duì)暗室內(nèi)電磁環(huán)境和其他非電磁環(huán)境的要求。
5 總體規(guī)劃、建筑物和公用設(shè)施的相關(guān)情況資料。
4 電磁波暗室分類
4.0.1 電磁波暗室的分類應(yīng)符合表4.0.1的規(guī)定。
表4.0.1 電磁波暗室分類
4.0.2 暗室電磁環(huán)境指標(biāo)項(xiàng)應(yīng)符合表4.0.2的規(guī)定。
表4.0.2 暗室電磁環(huán)境指標(biāo)項(xiàng)
4.0.3 暗室非電磁環(huán)境指標(biāo)項(xiàng)應(yīng)符合表4.0.3的規(guī)定。
表4.0.3 暗室非電磁環(huán)境指標(biāo)
注：λ為電磁波波長(zhǎng)。
5 總體設(shè)計(jì)
6 工藝設(shè)計(jì)
6.0.1 電磁波暗室的工藝區(qū)劃應(yīng)滿足暗室體型尺寸、暗室與功能性房間之間的相對(duì)位置要求。
6.0.2 暗室應(yīng)與測(cè)控間、設(shè)備間、試驗(yàn)間等相鄰。
6.0.3 暗室開(kāi)門位置不宜在主反射區(qū)。
6.0.4 暗室布局宜自建筑的底層開(kāi)始。
6.0.5 暗室體型宜選擇內(nèi)壁對(duì)電磁波反射路徑既少又弱、試驗(yàn)操作安全可靠、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的體型。
6.0.6 暗室內(nèi)有兩套或以上功能測(cè)試系統(tǒng)時(shí)，其體型和尺寸除應(yīng)滿足各測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)量技術(shù)要求外，還應(yīng)滿足系統(tǒng)間相互耦合的隔離要求。
6.0.7 長(zhǎng)方體暗室尺寸應(yīng)符合下列規(guī)定：
1 內(nèi)壁長(zhǎng)度L應(yīng)按下式計(jì)算：
L≥L1＋L2＋L3＋L4 （6.0.7-1）
式中：L1——測(cè)量距離（m），按表6.0.7計(jì)算；
L2——暗室內(nèi)測(cè)量系統(tǒng)設(shè)備和受試設(shè)備在測(cè)試中，沿暗室測(cè)量縱軸方向所占據(jù)的最大尺寸之和（m）；
L3——為滿足運(yùn)輸、維護(hù)及電磁輻射性能要求，沿測(cè)量縱軸方向增加的長(zhǎng)度；
L4——暗室兩端墻壁吸波材料沿測(cè)量縱軸方向的高度和（m）。
表6.0.7 L1計(jì)算
| 暗室類別 | L1 |
| 1-1、2-1、 2-2、3-2 |
L1=KD2/λ，K為系數(shù)，取值應(yīng)滿足天線口面內(nèi)電磁波相位偏差要求； D為受試設(shè)備的天線口徑或有效尺寸（m）；λ為工作波長(zhǎng)（m） |
| 1-2 |
L1=（2～10）λ |
| 1-3、3-1 | L1≈4Φ，其中Φ為單反射面緊縮場(chǎng)的圓柱靜區(qū)直徑（m） |
| 4-1 | 根據(jù)測(cè)試場(chǎng)地標(biāo)準(zhǔn)要求，L1取1m、3m、5m、10m、30m |
| 5-1、5-2 | 根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目環(huán)境要求決定 |
2 內(nèi)壁寬度W應(yīng)按下式計(jì)算：
W＝W1＋W2＋W3 （6.0.7-2）
式中：W——內(nèi)壁寬度（m），不宜小于0.87L1；
W1——暗室內(nèi)測(cè)量系統(tǒng)設(shè)備和受試設(shè)備在測(cè)試中，沿暗室寬度方向所占據(jù)的最大尺寸（m）；
W2——滿足運(yùn)輸、維護(hù)和輻射特性需要，沿暗室寬度方向的空間尺寸（m）；
W3——暗室兩側(cè)墻壁吸波材料高度的總和（m）。
3 內(nèi)壁高度H應(yīng)按下式計(jì)算，并應(yīng)滿足輻射特性要求：
H＝H1＋H2＋H3 （6.0.7-3）
式中：H——內(nèi)壁高度（m），對(duì)于1-1、2-1、2-2、3-2類暗室，不宜小于0.87L1；
H1——測(cè)量系統(tǒng)設(shè)備或受試設(shè)備的最大高度（m）；
H2——設(shè)備上部安裝空間尺寸（m）；
H3——暗室頂部吸波材料高度（m）。
6.0.8 錐體暗室尺寸設(shè)計(jì)應(yīng)符合下列規(guī)定：
1 暗室靜區(qū)尺寸不應(yīng)小于待測(cè)天線尺寸。
2 暗室長(zhǎng)方體部分寬度和高度應(yīng)相等，不應(yīng)小于暗室靜區(qū)尺寸的3倍。
3 暗室長(zhǎng)方體部分長(zhǎng)度不應(yīng)小于暗室寬度和主墻吸波材料高度的和。
4 錐頂角可選取20°～22°。
5 根據(jù)本條第1款～第4款設(shè)計(jì)的錐形暗室，測(cè)量距離L1應(yīng)滿足本規(guī)范表6.0.7的遠(yuǎn)場(chǎng)條件。
6 6GHz及以上頻段的錐形暗室，應(yīng)符合自由空間電波傳播幅度與相位的均勻性要求。
6.0.9 正多邊柱體暗室尺寸應(yīng)符合下列規(guī)定：
1 內(nèi)壁內(nèi)切圓半徑R應(yīng)按下式計(jì)算：
R≥L1＋R2＋R3＋R4（6.0.9-1）
式中：L1——測(cè)量距離，按本規(guī)范表6.0.7計(jì)算。對(duì)于1-1、2-1、3-2類遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)量暗室，當(dāng)天線口面內(nèi)電磁波相位偏差要求小于或等于λ/8時(shí)，K值取2。對(duì)于2-2類暗室，K值可小于2；
R2——測(cè)量系統(tǒng)設(shè)備與受試設(shè)備沿半徑方向的長(zhǎng)度之和；
R3——滿足運(yùn)輸、維護(hù)和輻射特性需要，在半徑方向的空間尺寸；
R4——吸波材料的總高度。
2 高度應(yīng)按本規(guī)范式（6.0.7-3）計(jì)算。
6.0.10 雷達(dá)截面緊縮場(chǎng)微波暗室（3-1類暗室）尺寸，應(yīng)與要求的靜區(qū)尺寸、測(cè)量系統(tǒng)布局、操作維護(hù)空間相協(xié)調(diào)匹配。
6.0.11 除本規(guī)范表4.0.1中1-2、1-3、2-2、3-1、3-2、4-1類暗室測(cè)量系統(tǒng)在高度方向布局另有要求外，其他暗室內(nèi)部測(cè)量系統(tǒng)應(yīng)對(duì)稱布局。
6.0.12 暗室靜區(qū)范圍尺寸應(yīng)大于受試設(shè)備試驗(yàn)狀態(tài)中所覆蓋的區(qū)域。
7 吸波及電磁屏蔽工程設(shè)計(jì)
8 建筑與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
9 公用工程設(shè)計(jì)
10 電磁屏蔽和吸波工程施工
11 工程驗(yàn)收
11.0.1 暗室的電磁屏蔽和吸波工程竣工驗(yàn)收應(yīng)分別在屏蔽性能和吸波性能測(cè)量合格后進(jìn)行。
11.0.2 各工序應(yīng)按施工組織計(jì)劃技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行質(zhì)量控制。每道工序完成后應(yīng)進(jìn)行自檢，相關(guān)各專業(yè)工種之間應(yīng)進(jìn)行交接檢驗(yàn)，自檢和交接檢驗(yàn)應(yīng)作記錄，并應(yīng)作為工程竣工驗(yàn)收的資料。
11.0.3 暗室的電磁屏蔽工程和吸波工程竣工驗(yàn)收，應(yīng)由施工單位向監(jiān)理單位提出，并應(yīng)由監(jiān)理單位組織建設(shè)單位、設(shè)計(jì)單位、施工單位、質(zhì)量監(jiān)督機(jī)構(gòu)組成驗(yàn)收組，應(yīng)根據(jù)合同、設(shè)計(jì)文件、本規(guī)范及相關(guān)技術(shù)文件進(jìn)行竣工驗(yàn)收。
11.0.4 暗室的電磁屏蔽工程和吸波工程竣工驗(yàn)收應(yīng)提交下列竣工資料：
1 移交清單。
2 原材料和設(shè)備合格證、質(zhì)量證明、說(shuō)明書。
3 圖紙會(huì)審記錄、變更設(shè)計(jì)或洽商記錄。
4 各工序施工安裝、質(zhì)量自檢和互檢驗(yàn)收記錄。
5 屏蔽或吸波性能第三方測(cè)試報(bào)告。
6 開(kāi)工報(bào)告。
7 竣工驗(yàn)收?qǐng)?bào)告。
8 竣工圖。
11.0.5 驗(yàn)收不合格的工程應(yīng)返工施工或更換構(gòu)（配）件。更換的構(gòu)（配）件應(yīng)由有資質(zhì)的檢測(cè)單位檢測(cè)合格，或由原設(shè)計(jì)單位認(rèn)可能夠滿足性能。
11.0.6 通過(guò)返修仍不能滿足安全使用和功能使用要求的工程，不得進(jìn)行驗(yàn)收。
11.0.7 電磁屏蔽和吸波工程采用的各種主要材料、整件和部件的合格證、檢測(cè)報(bào)告、技術(shù)規(guī)格、使用說(shuō)明等資料應(yīng)齊備。
11.0.8 隱蔽工程施工驗(yàn)收資料應(yīng)齊全。
11.0.9 電磁屏蔽工程驗(yàn)收應(yīng)在吸波工程施工開(kāi)始前進(jìn)行。
11.0.10 電磁屏蔽工程施工驗(yàn)收主要內(nèi)容應(yīng)包括工程材料、屏蔽整部件、屏蔽體結(jié)構(gòu)、安全和消防器材等的施工質(zhì)量和屏蔽效能指標(biāo)。
11.0.11 電磁屏蔽效能驗(yàn)收測(cè)試應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電磁屏蔽室屏蔽效能的測(cè)量方法》GB/T 12190等的有關(guān)規(guī)定。
11.0.12 吸波工程的電磁特性測(cè)試與驗(yàn)收可在測(cè)量系統(tǒng)安裝前或安裝后，由驗(yàn)收各方根據(jù)工程項(xiàng)目情況商定。
11.0.13 非電磁兼容類電磁波暗室的電磁特性驗(yàn)收測(cè)試應(yīng)分別符合下列規(guī)定：
1 1-1、2-1、2-2、5-1和5-2類暗室等，靜區(qū)特性檢測(cè)應(yīng)采用現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《微波暗室性能測(cè)試方法》GJB 6780的有關(guān)規(guī)定，靜區(qū)反射電平測(cè)試宜采用自由空間電壓駐波比法，小型暗室可采用方向圖比較法。
2 1-2類暗室，靜區(qū)特性檢測(cè)可采用空間位移掃描比較法。
3 暗室殘余散射特性檢測(cè)可按本規(guī)范附錄A采用單站雷達(dá)截面比較法。
11.0.14 電磁兼容電波暗室的測(cè)試與驗(yàn)收應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《電磁兼容性測(cè)試實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可要求》GJB 2926的有關(guān)規(guī)定。
附錄A 單站雷達(dá)截面比較法
A.0.1 單站雷達(dá)截面比較法的測(cè)試原理及步驟應(yīng)包括下列內(nèi)容：
1 應(yīng)根據(jù)測(cè)試頻段要求選取適當(dāng)直徑d（m）的金屬定標(biāo)球σs（dBm2），保證定標(biāo)球處于光學(xué)區(qū)內(nèi)（ka＝πd/λ≥10）。
2 將定標(biāo)球放置于暗室靜區(qū)中心處，采用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀S21網(wǎng)絡(luò)，校準(zhǔn)儀器，設(shè)置時(shí)域門中心和門寬，對(duì)定標(biāo)球進(jìn)行測(cè)量，得到接收機(jī)的輸出電壓Vs。取下定標(biāo)球，對(duì)暗室本身進(jìn)行測(cè)量，得到接收機(jī)的輸出電壓Vo。
3 當(dāng)Vo≤Vs時(shí)，暗室殘余反射電平的雷達(dá)目標(biāo)散射面積σo應(yīng)按下式計(jì)算：
σo＝σs＋20lg（Vo/Vs）（dBm2） （A.0.1）
4 選取不同頻段的天線、使用相應(yīng)的頻段和極化，重復(fù)2和3步驟，便可完成暗室殘余反射電平σo（dBm2）的檢測(cè)。結(jié)果記錄在測(cè)試報(bào)告表中。
A.0.2 測(cè)試系統(tǒng)儀表、設(shè)備配置應(yīng)包括下列內(nèi)容：
1 型號(hào)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀一套。
2 標(biāo)準(zhǔn)角錐喇叭天線一套，增益為15dB～20dB。
3 射頻低噪放大器一套，增益為20dB～25dB。
4 金屬定標(biāo)球一套。
5 激光測(cè)距儀一臺(tái)，直尺一套，低雷達(dá)目標(biāo)散射面積的散射支架一個(gè)。
6 數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)（計(jì)算機(jī)，打印機(jī)）一套。
