DL/T 846.3-2017 高電壓測(cè)試設(shè)備通用技術(shù)條件 第3部分:高壓開(kāi)關(guān)綜合特性測(cè)試儀（完整版）
DL/T 846.3-2017.General technical specifications for high voltage test equipments Part 3: high voltage switch integrate detector.
1范圍
DL/T 846.3規(guī)定了高壓開(kāi)關(guān)綜合特性測(cè)試儀(以下簡(jiǎn)稱測(cè)試儀)的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、試驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存等。
DL/T 846.3適用于高壓開(kāi)關(guān)綜合特性測(cè)試儀(也稱高壓開(kāi)關(guān)機(jī)械特性測(cè)試儀)的生產(chǎn)和檢驗(yàn)。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注A期的引用文件，僅注8期的版本適用于本文件.凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T 191包裝儲(chǔ)運(yùn) 圖示標(biāo)志
GB/T 6587- 2012 電子測(cè)量?jī)x 器通用規(guī)范
GB 11463- -1989 電子測(cè)量?jī)x器 可靠性試驗(yàn)
GB/T 17626.2電磁兼容 試驗(yàn) 和測(cè)量技術(shù)靜 電放電抗擾度試驗(yàn)
GB/T 17626.3電磁兼容 試驗(yàn) 和測(cè)量技術(shù)射 頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)
GB/T 17626.4電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速 瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)
GB/T 17626.5電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)
GB/T 17626.6電磁兼容試驗(yàn) 和測(cè)量技術(shù)射 頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度
GB/T 17626.8電磁兼容 試驗(yàn) 和測(cè)量技術(shù)工頻磁 場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)
GB/T 17626.11電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓暫降、 短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度試驗(yàn)
GB/T 18268.1測(cè)量、 控制和實(shí)驗(yàn)室用的電設(shè)備電磁兼容性要求 第1 部分:通用要求
3術(shù)語(yǔ)和定義
下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本部分。
3.1合閘時(shí)間closing time
從接到合閘指令瞬間起到所有極觸頭都接觸瞬間的時(shí)間間隔。
注1:合閘時(shí)間包括開(kāi)關(guān)合閘所必需的并與開(kāi)關(guān)組成整體的任何輔助設(shè)備的動(dòng)作時(shí)間。
注2:對(duì)裝有并聯(lián)電阻的斷路器，需把與并聯(lián)電阻串聯(lián)的觸頭都接觸瞬間前的合閘時(shí)間和主觸頭都接觸瞬間前的合閘時(shí)間做出區(qū)別。除非另有說(shuō)明，合閘時(shí)間就是指直到主觸頭都接觸瞬間的時(shí)間。
