GBT 26218.1-2010 污穢條件下使用的高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分 （完整版）
1 范圍和目的
1 范圍和目的
GB／T 26218的本部分規(guī)定了通用定義、現(xiàn)場污穢度(SPS)的評定方法，并概括了在一定污穢環(huán)境中對某類絕緣子得出大致性能判斷的原則。
本部分適用于污穢條件下使用的高電壓系統(tǒng)用絕緣子的選擇以及相關(guān)尺寸確定。
本部分一般適用于所有類型外絕緣，包括構(gòu)成其他電器的部件的絕緣。后面使用的術(shù)語“絕緣子”指任何類型的絕緣子。
絕緣子在污穢條件下的性能進(jìn)行較深層次的研究可以參考CIGRE C4文件[1]，[2]，[3]，這些文件對GB／T 26218提供了有益補(bǔ)充。
本部分不涉及雪、冰或海拔對污穢絕緣子的影響。雖然這個題目與CIGRE [1]，[4]有關(guān)，但現(xiàn)有知識很有限，實踐也各不相同。
本部分的目的在于：
● 了解和識別影響絕緣子污穢性能的系統(tǒng)、應(yīng)用、設(shè)備和現(xiàn)場的參數(shù)；
● 根據(jù)得到的數(shù)據(jù)、時間和資源了解并選擇合適的方法選取和設(shè)計絕緣子；
● 表征現(xiàn)場污穢的類型并確定該現(xiàn)場的污穢度(SPS)；
● 從SPS確定參考的統(tǒng)一爬電比距(USCD)；
● 考慮該“候選”絕緣子的特性(特別是絕緣子外形)將其“參考”USCD按現(xiàn)場、應(yīng)用和系統(tǒng)類型進(jìn)行校正；
● 確定可能解決方案的相對優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)；
● 評定各種解決辦法或減污措施的需求和優(yōu)點(diǎn)；
● 如有要求，確定驗證所選取絕緣子的性能的適當(dāng)?shù)脑囼灧椒ê蛥?shù)。
2 規(guī)范性引用文件
2 規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過GB／T 26218的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本部分。
GB／T 156 標(biāo)準(zhǔn)電壓(GB／T 156-2007，IEC 60038：2002，MOD)
GB／T 2900.8 電工術(shù)語 絕緣子(GB／T 2900.8-2009，IEC 60050-471：2007，IDT)
GB／T 4585-2004交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(IEC 60507：1991，IDT)
GB／T 7253 標(biāo)稱電壓高于1000V架空線路絕緣子 交流系統(tǒng)用瓷或玻璃絕緣子元件 盤形懸式絕緣子元件的特性(GB／T 7253-2005，IEC 60305：1995，MOD)
GB／T 22707 直流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(GB／T 22707-2008，IEC／TR 61245：1993，MOD)
IEC 60433標(biāo)稱電壓高于1000V的架空線路用絕緣子――交流系統(tǒng)用瓷絕緣子――長棒形絕緣子元件特性
3 術(shù)語和定義、縮略語
3.2 縮略語
ESDD 等值鹽密
Ff 形狀因數(shù)
NSD 不溶沉積物
NSDD 不溶沉積物密度
SDD 鹽密
SES 現(xiàn)場等值鹽度
SPS 現(xiàn)場污穢度
TOV 暫態(tài)過電壓
USCD 統(tǒng)一爬電比距
4 建議的絕緣子選擇和尺寸確定方法
4.1 緒言
推薦了3種根據(jù)系統(tǒng)要求和環(huán)境條件從樣本上選取適宜絕緣子的方法(表1的方法1，方法2，方法3)，附錄A示出了這些方法的流程圖。
表1示出了各種方法需要的數(shù)據(jù)和決策。各種方法的適用性取決于該工程中可得到的數(shù)據(jù)、時間以及經(jīng)濟(jì)情況。選取絕緣子型式和尺寸正確性的置信度也隨過程中做出的決策而變化。如果在選取過程中想采取“簡捷辦法”，那么得到的解決辦法將提供“過設(shè)計”而不是運(yùn)行中具有較高失效風(fēng)險的那種設(shè)計。
實際上，絕緣子的污穢性能是由環(huán)境和絕緣子間的復(fù)雜的和動態(tài)的相互作用來決定的。附錄B給出了污穢閃絡(luò)機(jī)理的簡短的概述。
4.2 方法1
在方法1中，這種相互作用可以充分地在運(yùn)行的線路或變電站體現(xiàn)，也可以在試驗站體現(xiàn)。
4.3 方法2
在方法2中，這種相互作用不能由試驗室試驗即在GB／T 4585―2004和GB／T 22707中規(guī)定的試驗完全地體現(xiàn)出來。
4.4 方法3
在方法3中，這種相互作用僅通過校正因數(shù)有限地體現(xiàn)和表示出來。對于選取和尺寸確定過程，方法3是快速的和經(jīng)濟(jì)的，但可能會導(dǎo)致SPS的低估或由于過設(shè)計而導(dǎo)致不經(jīng)濟(jì)的解決方案。當(dāng)從這3種方法中來選擇時必須考慮包括強(qiáng)制性性能要求的總費(fèi)用。只要情況允許，宜采用方法1或方法2。
表 1 絕緣子選擇和尺寸確定的3種方法
表 1 (續(xù))
這三種方法的時間長短如下：
● 對于運(yùn)行經(jīng)驗(方法1)，5年～10年的滿意的運(yùn)行時間是可接受的。根據(jù)氣候和污穢事件的度和污穢度，此時間可能需要延長或縮短。
● 對于試驗站經(jīng)驗(方法1)，認(rèn)為2年～5年調(diào)研屬于典型時間。根據(jù)試驗的方案或試驗污穢度，此時間可能會延長或縮短。
● 對于現(xiàn)場污穢度的測量(方法2和方法3)，SES的時間至少需要1年，ESDD／NSDD的時間至少需要3年～5年(見8.2)。
● 對于現(xiàn)場污穢度的估計(方法2和方法3)，對氣候、環(huán)境進(jìn)行研究并對所有可能的污穢源進(jìn)行識別和分析是必要的。因此，這種估計并不能快速完成并且可能需要幾周或幾個月時間。
● 對于試驗室試驗(方法2)，需要的時間是幾周或幾個月，這取決于試驗類型和試驗規(guī)模。后面的條款給出了關(guān)于系統(tǒng)要求、環(huán)境以及現(xiàn)場污穢度確定更多的信息。
附錄G給出了方法1使用的調(diào)查表示例，該調(diào)查表用于獲得現(xiàn)有線路或變電所的運(yùn)行經(jīng)驗。
方法2中使用的試驗室試驗指導(dǎo)概括地敘述在附錄E中。非隨機(jī)法和統(tǒng)計設(shè)計法對根據(jù)SPS和試驗室試驗結(jié)果設(shè)計和選取適當(dāng)?shù)慕^緣子的解決辦法都是有用的。附錄F中給出了這兩種方法的簡短敘述。
對于方法3，所要求的最小統(tǒng)一爬電比距和校正因數(shù)給出在GB／T 26218的幾個相關(guān)部分中。
5 絕緣子選擇和尺寸確定的輸入?yún)?shù)
5 絕緣子選擇和尺寸確定的輸入?yún)?shù)
戶外絕緣子的選擇和尺寸確定是一個復(fù)雜的過程，為了得到一個成功的結(jié)果必須考慮大量的參數(shù)。對于一個給定現(xiàn)場或工程，要求的輸入分3種類型：系統(tǒng)要求、現(xiàn)場的環(huán)境條件以及制造商樣本中的絕緣子參數(shù)。這3種類型的每一種都包含有許多參數(shù)，如下面的表2所指出的。這些參數(shù)在后面的條款中會進(jìn)一步討論。
表 2 絕緣子選擇和尺寸確定的輸入?yún)?shù)
表 2 (續(xù))
6 系統(tǒng)要求
6 系統(tǒng)要求
戶外絕緣的選擇和尺寸確定應(yīng)要考慮系統(tǒng)要求。以下幾點(diǎn)可能對絕緣子的尺寸確定影響強(qiáng)烈，因而需要加以考慮。
● 系統(tǒng)類型(交流或直流)
運(yùn)行和試驗室試驗結(jié)果表明，在相同污穢條件下，某些直流絕緣要求的統(tǒng)一爬電比距值可能比交流絕緣稍高。這種影響將在GB／T 26218涉及直流系統(tǒng)的部分中詳述。
● 絕緣上的最高運(yùn)行電壓
通常交流系統(tǒng)用設(shè)備最高電壓Um來表征(見GB／T 156)。
相對地絕緣承受相對地電壓
相對相絕緣承受相對相電壓
在直流系統(tǒng)情況下，通常最大系統(tǒng)電壓等于最大線對地電壓。在混合電壓波形情況下可能需要使用方均根值。
● 過電壓
瞬時過電壓的影響由于其持續(xù)時間很短不必考慮。
暫態(tài)過電壓(TOV)可能由于發(fā)電機(jī)和線路負(fù)載突然釋放或者線路對地故障而出現(xiàn)，并且不能總是忽視。
注：TOV的持續(xù)時間取決于系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)并且可能會持續(xù)30min，在中性點(diǎn)不接地系統(tǒng)情況下甚至更長。視TOV的持續(xù)時間和發(fā)生概率，可能必須考慮TOV和絕緣子污穢的聯(lián)合影響。CIGRE 158[1]對這個問題以及對象冷合閘那樣的其他風(fēng)險給出了信息。
● 強(qiáng)制性的性能要求
用于系統(tǒng)同步的縱向絕緣可能會承受2.5倍相對地電壓值。
某些用戶可能對戶外絕緣的有效性、可維修性以及可靠性提出性能水平要求。例如，可能規(guī)定在給定時間段內(nèi)每個變電站或每100km線路長度允許的污穢閃絡(luò)最多次數(shù)，也可能包括一次閃絡(luò)后的最長停電時間。
除了按現(xiàn)場條件確定絕緣子尺寸以外，強(qiáng)制性的要求可能也會成為控制絕緣子參數(shù)的因素。
● 間距，強(qiáng)制性的幾何形狀和尺寸
可能存在有幾種情況或其中某些情況的組合，在這時確定絕緣型式和尺寸需要專門的解決方法。
例子有：
——緊湊型線路和變電站；
——絕緣子非常規(guī)布置；
——塔和變電所的非常規(guī)的設(shè)計；
——絕緣導(dǎo)體；
——具有低視覺沖擊的線路或變電所。
7 環(huán)境條件
7.2 環(huán)境的一般分類
7.3 污穢度
現(xiàn)場污穢度測量通常用以下方式表達(dá)：
——ESDD和NSDD，對A類污穢；
——現(xiàn)場等值鹽度(SES)，對B類污穢。
自然污穢絕緣子的污穢度測量通常用以下方式表達(dá)：
——ESDD和NSDD，對于A類污穢；
——表面電導(dǎo)率，對于B類污穢。
注：在某些情況下ESDD測量可以使用于B類污穢。
人工污穢試驗時絕緣子的污穢度通常按以下規(guī)定：
——SDD和NSDD，對于固體層法；
——霧的鹽度(kg／m3)，對于鹽霧法。
8 現(xiàn)場污穢度的評定
8.1 現(xiàn)場污穢度
現(xiàn)場污穢度測量可采用下列兩種方式，條件允許時應(yīng)采用a)方式：
a) 按本部分給出的方法在相當(dāng)長的時間內(nèi)(即一年或多年)測量現(xiàn)場污穢度(SPS)，它是以一定測量時間間隔記錄到的ESDD和NSDD(在盤形絕緣子情況下是上表面和下表面的平均ESDD／NSDD)或SES的最大值。測量積污的時間(連續(xù)，每月，3個月，6個月，每年或?qū)SDD和NSDD情況還需3年～5年后每年等見附錄C和附錄D)可以按對當(dāng)?shù)貧夂蚝铜h(huán)境條件的了解來選取。
如果在測量期內(nèi)下雨，應(yīng)在適當(dāng)間隔重復(fù)測量，以確定自然清洗的影響；SPS則為測量系列中記錄到的最大值。
b)在帶電參照絕緣子連續(xù)積污3年～5年后開始測量現(xiàn)場污穢度(SPS)，是記錄到的ESDD和NSDD的最大值。測量方法可按附錄C的C.2～C.4。如果測量其他型式絕緣子的SPS，應(yīng)將其SPS值乘以形狀積污系數(shù)K.2換算成參照絕緣子的SPS值。測量時間選在每年積污期結(jié)束時測量污穢度，具體測量時間根據(jù)當(dāng)?shù)囟嗄隁庀笠?guī)律或局部氣候和環(huán)境條件確定(例如，某些地區(qū)的一年的ESDD／NSDD最大值可能在冬末春初下雨之前出現(xiàn))。交流不帶電測量的值乘以1.1～1.3的帶電積污系數(shù)K1(直流帶電積污系數(shù)正在研究中)，可等效為帶電時測得的值。
注1：即使ESDD和NSDD的最大值沒有同時出現(xiàn)，但SPS還是取其最大值組合。
注2：若測量期沒有自然清洗，ESDD和NSDD的最大值可以從沉積密度與時間對數(shù)的關(guān)系圖中估計，所取時間值與預(yù)期的降雨頻度有關(guān)。
注3：若可以得到足夠的數(shù)據(jù)，最大值可以用統(tǒng)計值(如1％，2％，5％)代替。
8.2 現(xiàn)場污穢度評定方法
污穢度的評定方法如下，其置信度遞減：
1) 現(xiàn)場測量；
2) 現(xiàn)場或接近運(yùn)行現(xiàn)場的線路或變電所絕緣子性能的信息(見附錄G)；
3) 根據(jù)氣候和其他環(huán)境參數(shù)模擬算得的污穢水平(見CIGRE 158[1])；
4) 如果沒有其他可能性，可以根據(jù)表3給出的指示定性確定。
現(xiàn)場測量通常使用不同的方法。它們是：
● 或是
A類污穢現(xiàn)場，參照絕緣子表面的ESDD和NSDD(見附錄C)；
或是
對B類污穢現(xiàn)場，參照絕緣子或監(jiān)測器上測得的現(xiàn)場泄漏電流或電導(dǎo)大小確定的SES(見附錄D)；
● 不同長度絕緣子的閃絡(luò)總次數(shù)；
● 樣品絕緣子的泄漏電流或電導(dǎo)。
注1：參考文獻(xiàn)[6]給出了現(xiàn)場污穢度監(jiān)測方法的例子。
上述方法的前兩種(ESDD，SES)不要求價錢很貴的設(shè)備并且很容易執(zhí)行。ESDD／NSDD和SES表征了現(xiàn)場關(guān)于參照絕緣子的污穢度。在所有情況下，宜使用適當(dāng)?shù)臍庀笤O(shè)備分別獲得降雨和潮濕的信息。
所有這些方法的準(zhǔn)確度取決于測量的頻度以及該調(diào)查的持續(xù)時間。用兩種或多種方法的組合可以改善準(zhǔn)確度。
使用總閃絡(luò)次數(shù)法需要昂貴的試驗設(shè)備?？煽康男畔⒖梢詮慕咏A(yù)設(shè)長度的試驗絕緣子在接近實際運(yùn)行電壓下的閃絡(luò)情況來得到。
后面兩種方法需要電源和特定的記錄設(shè)備，其優(yōu)點(diǎn)是能連續(xù)監(jiān)測污穢的影響。它們的研發(fā)是用于評估積污速率。依據(jù)試驗數(shù)據(jù)，它們可用來指示污穢還在安全水平或發(fā)出要求清洗或采取其他減污辦法的信號。這兩種方法可以直接確定在現(xiàn)場被試絕緣子所需要的最小統(tǒng)一爬電比距(USCD)。
在參照絕緣子上進(jìn)行測量時，對研究包括其他外形的絕緣子的積污和自清洗機(jī)理是非常有用的，而且獲得的信息有利于選擇合適的絕緣子外形。
污穢事件通常是有季節(jié)性的并且與氣候有關(guān)。因此，考慮季節(jié)的影響B(tài)類污穢現(xiàn)場測量周期至少1需要1年，A類污穢現(xiàn)場測量周期至少需要3年。為了掌握異常污穢事件或者為了了解其趨勢，可能需要更長的周期。同樣，對于干旱地區(qū)測量可能需要至少超過3年(見9.5.2)。
注2：應(yīng)當(dāng)考慮工業(yè)和運(yùn)輸網(wǎng)發(fā)展帶來的影響，合理的做法是工程建成后持續(xù)監(jiān)測污穢度。
8.3 現(xiàn)場污穢度(SPS)等級
為了標(biāo)準(zhǔn)化的目的，定性地定義了5個污穢等級，表征污穢度從很輕到很重：
a——很輕；
b——輕；
c——中等；
d——重；
e——很重。
注1：這些字母等級與先前GB／T 5582―1993的數(shù)字等級不能直接對應(yīng)。
注2：實際上從一個等級到另一等級是逐漸變化的。因此，如果可以進(jìn)行測量，確定絕緣子尺寸時優(yōu)先考慮實際SPS值，而不是等級。
對于A類污穢，圖1給出了參照盤形懸式絕緣子對應(yīng)于每一SPS等級的ESDD／NSDD值的范圍。這些值是從現(xiàn)場測量、經(jīng)驗以及污穢試驗推導(dǎo)出來的，并且是從至少一年時間的定期測量中得到的最大值。這個圖僅適用于參照絕緣子并考慮了它們具體的積污特性。
對圖2右側(cè)陰影區(qū)表征的極重現(xiàn)場污穢度，為保證有滿意的污穢性能，不能再使用簡單的規(guī)則。對這個區(qū)域要求仔細(xì)研究，并需要采用絕緣解決方案兼防污措施的聯(lián)合解決辦法(見9.5.5)。
注3：圖1是依據(jù)我國經(jīng)驗和試驗數(shù)據(jù)做出的，其中的ESDD、NSDD為帶電測量值。由于我國目前長棒形絕緣子的使用經(jīng)驗和試驗數(shù)據(jù)很少，本部分暫未繪制長棒形絕緣子的ESDD／NSDD和SPS間關(guān)系圖。
對于B類污穢，圖2示出了參照絕緣子的SES測量和SPS等級間的關(guān)系。
圖1、圖2的數(shù)值依據(jù)于沉積在參照絕緣子上的自然污穢。
不應(yīng)直接用這些圖來確定試驗室試驗的污穢度。對自然條件和試驗條件間的差別和絕緣子型式間的差別都必須進(jìn)行校正(見附錄E和[1])。
從一個SPS等級轉(zhuǎn)變到另一個等級不是突變的，因此圖1、圖2的每個等級間的邊界線都用陰影帶1表示(見上面的注2)。
表3對每一污穢水平給出了某些典型的相應(yīng)環(huán)境的示例和大致的描述。表中所描述的環(huán)境情況可能存在遺漏，并且最好不要單獨(dú)據(jù)此描述來確定現(xiàn)場污穢度水平。表3中示例E1到E7被放置于圖1和圖2中以說明典型SPS水平。絕緣子的某些特性(例如外形)對絕緣子本身的積污穢量有重要影響。因此，這些典型值僅對參照盤形懸式絕緣子適用。
表 3 典型環(huán)境的舉例
9 絕緣選擇和尺寸確定
9.1 過程的一般描述
絕緣選擇和尺寸確定的全部過程可以概括如下：
● 根據(jù)現(xiàn)有知識、時間和資源，確定適用的方法(方法1、方法2和方法3)；
● 收集必需的輸入數(shù)據(jù)，主要有：交流還是直流、系統(tǒng)電壓、絕緣應(yīng)用型式(線路，支柱，套管等)；
● 收集必需的環(huán)境數(shù)據(jù)，主要有：現(xiàn)場污穢度和等級。在這個階段，可初步選取適宜于該用途和環(huán)境的候選絕緣子(見9.2～9.4)。
● 用GB／T 26218相關(guān)的第2部分和后面的部分中的指出的方法，或者用方法1情況下來自運(yùn)行或試驗站的經(jīng)驗確定該型式和材料的絕緣子參考統(tǒng)一爬電比距；
● 如有必要，根據(jù)相關(guān)因素修正參考USCD，這些因素取決于候選絕緣子的尺寸、外形、方向等；
● 校核所選候選絕緣子是否滿足表2中系統(tǒng)和線路的其他要求(例如強(qiáng)制性幾何形狀、尺寸以及經(jīng)濟(jì)方面的要求)，如果不能得到滿意的候選者，則應(yīng)改變解決辦法或改變要求；
● 在采用方法2時，用試驗室試驗(見附錄E)對確定的尺寸進(jìn)行驗證。
注：對前面提到的每一種絕緣子類型的特定指導(dǎo)原則給出在GB／T 26218的相關(guān)的第2部分和后面的部分。
9.2 材料選取的一般指南
材料選取可能完全取決于環(huán)境或系統(tǒng)約束，另一方面，也可能僅僅取決于用戶的方針和經(jīng)濟(jì)因素。上釉的瓷和玻璃是傳統(tǒng)戶外絕緣材料。聚合物絕緣子是玻璃和瓷絕緣子的替代品，它可以是全部由聚合物制成的絕緣子，也可以是由聚合物外套與玻璃纖維芯體組合在一起構(gòu)成的復(fù)合絕緣子。聚合物絕緣子有著不同的外形和材料技術(shù)，其污穢性能參數(shù)未必和傳統(tǒng)絕緣相同。
GB／T 26218的第2部分涉及由傳統(tǒng)材料制作的絕緣子的選擇和尺寸確定。GB／T 26218的第3部分涉及聚合物絕緣子。關(guān)于這個題目的CIGRE工作的更多的細(xì)節(jié)也可見參考文獻(xiàn)[2，3]，關(guān)于聚合物材料以及濕潤性的信息也可見參考文獻(xiàn)[7，8]。
注：已開始考慮GB／T 26218中下一步有關(guān)直流系統(tǒng)的相關(guān)部分。
9.3 外形的一般指南
不同型式絕緣子以及甚至相同型式絕緣子但不同方向時，在相同環(huán)境下可能會以不同的速率積累污穢。此外，污穢物種類的變化也可能會對某些形狀的絕緣子比另一些絕緣子更有影響。以下列出了外形選擇的簡略指導(dǎo)。應(yīng)該考慮到，最小或最大絕緣總長是重要的限制性參數(shù)，例如，它對于絕緣配合或桿塔的高度是很重要的。表4概述了各種絕緣子外形的主要特點(diǎn)。
GB／T 26218的相關(guān)部分給出了關(guān)于外形的更多的信息。
9.4 對爬電距離和絕緣子長度的考慮
對污穢環(huán)境絕緣子的選擇和其性能的表達(dá)最常用的是僅依據(jù)在系統(tǒng)電壓下能耐受該污穢條件所必需的爬電距離。這可能會導(dǎo)致根據(jù)每單位電壓所需的爬電距離來比較絕緣子。但是僅使用爬電距離所建立的這個指標(biāo)排序并沒有考慮取決于絕緣子每單位長度有效的爬電距離這樣的其他因素。例如，具有146mm結(jié)構(gòu)高度的一個標(biāo)準(zhǔn)盤形懸式絕緣子串依靠增加串中的絕緣子元件數(shù)可以與有相同長度但有較長爬電距離的由170mm結(jié)構(gòu)高度的絕緣子所組成的一個等效的絕緣子串有類似的污穢性能。選擇絕緣子時這點(diǎn)很值得考慮，特別是應(yīng)用在絕緣子長度約束屬于次要條件時。
相反，如果絕緣子長度或高度是主要約束條件，由于外形有效性的降低，在有限空間內(nèi)增加爬電距離可能也不會得到對預(yù)期性能的充分改善。另外，對于聚合物材料，增加爬電距離或減小傘間距可能會加劇老化效應(yīng)。
表4 典型的外形及其主要特點(diǎn)
表4 (續(xù))
附 錄 A
附 錄 A
(資料性附錄)
設(shè)計方法流程圖
下面繪制示出了方法1、方法2和方法3的流程圖。
附 錄 B
B.1 在A類污穢條件下污穢閃絡(luò)機(jī)理的描述
為了容易理解預(yù)沉積污穢(A類)的閃絡(luò)過程，可以將它分成6個階段并分別敘述如下。實際上這些階段不會分得很清楚，然而可能會合并。
由于絕緣子的表面性能緣故，會對絕緣子污穢閃絡(luò)過程有很大影響?？梢哉J(rèn)可有兩種表面條件：或是親水或是憎水的。玻璃或瓷絕緣子表面通常是親水的，而聚合物絕緣子(特別是硅橡膠絕緣子)表面通常是憎水的。在潮濕條件下，例如在雨、霧等條件下，親水表面將完全地潮濕，從而有一層電解液膜覆蓋了該絕緣子。相反，同樣的潮濕條件下，在憎水表面上水形成清晰的小水滴。
污穢閃絡(luò)過程也受電壓波形、交流或直流的重要影響。在交流條件下，跨接絕緣子表面的電弧傳播可以有幾個周波并且因而在電流過零的附近電弧會經(jīng)受一個熄滅和再點(diǎn)燃的過程。
一個復(fù)雜的特點(diǎn)是絕緣子外形的相鄰點(diǎn)間(例為棱間或傘間)空氣的擊穿，會導(dǎo)致短接了絕緣子表面某些部分而降低其閃絡(luò)性能。此外，水滴或水流也可以促進(jìn)此性能的降低。
發(fā)生在親水表面例如陶瓷材料表面上的這個過程敘述如下。
階段1：絕緣子由污穢層覆蓋。如果該污穢在于燥時是不導(dǎo)電的(高電阻)，那么在閃絡(luò)前將需要出現(xiàn)某些濕潤過程(階段2)。
階段2：污穢絕緣子的表面變潮濕。一個絕緣子的濕潤可以下列方式發(fā)生：吸收潮氣、冷凝和降水。大雨(降水)可能會將部分或整個污穢層的電解質(zhì)成分洗去，從而不會引起擊穿過程的其他階段，或者會由于傘間間隙的橋接而引起了閃絡(luò)。當(dāng)絕緣子的溫度和周圍空氣的溫度相同時，在高相對濕度(＞75％RH)期間會出現(xiàn)吸收潮氣。當(dāng)空氣中的潮氣凝聚到溫度低于露點(diǎn)的表面上時就可以出現(xiàn)冷凝。這種狀況通常出現(xiàn)在太陽升起或太陽快升起之時。
階段3：一旦帶電的絕緣子覆蓋了導(dǎo)電的污穢層，其表面就會流過泄漏電流，并且在幾個工頻周期內(nèi)它的熱效應(yīng)就會引起一部分污層變干。此過程在電流密度最高的部位，即在絕緣子的最窄部位出現(xiàn)。這就會引起所稱的于帶的形成。
階段4：污層不會均勻地干燥，并且因干帶中斷了泄漏電流的流動，導(dǎo)電路徑在此位置就被斷開了。
階段5：加在若干個干帶(這些干帶可以是僅僅幾毫米寬)的線對地電壓引起了空氣擊穿，并且由與還是濕的并導(dǎo)電的污層部分的電阻在電氣上相串聯(lián)的電弧橋接了干帶。絕緣子干帶上每次跳火花都會引起一個泄漏電流脈沖波。
階段6：如果污層上還是濕的并且導(dǎo)電的部分的電阻足夠低，電弧將維持橋接干帶并且將繼續(xù)沿著絕緣子延伸，橋接它的越來越多的表面。這就依次地降低了與電弧串聯(lián)的電阻，使電流增大，并使電弧可以橋接更多的絕緣子表面。最后它被完全地橋接了并產(chǎn)生了一次線對地的故障(閃絡(luò))。
可以將這整個過程概括為絕緣子、污穢物、濕潤條件以及施加電壓(在試驗室條件下還有電源阻抗)間的一種相互作用。
閃絡(luò)的可能性隨泄漏電流的升高而增大，并且主要由決定了電流大小的表面層電阻確定。因此，可以做出這樣的結(jié)論：即按照上述的模型，表面層電阻是決定絕緣子是否會閃絡(luò)的根本因素。使用形狀因數(shù)(見附錄H)，假定均勻的污穢分布和均勻潮濕條件下，可以算出表面層電阻。
在很干旱的地區(qū)如荒漠地區(qū)污穢閃絡(luò)可能是一個疑難問題。其常常用太陽升起時在絕緣子表面溫度和迅速升高的周圍空氣溫度間的“熱的滯后”來解釋。要出現(xiàn)顯著的冷凝此溫度差僅需要攝氏度幾度，即使在相當(dāng)?shù)偷南鄬穸认乱踩绱恕＝^緣材料的熱容量和熱導(dǎo)率控制了其表面變暖的速率。
污穢閃絡(luò)過程和模型更多的信息可在CIGRE 158[1]中找到。
B.3 憎水表面的污穢閃絡(luò)機(jī)理
由于憎水表面的動態(tài)特點(diǎn)以及(導(dǎo)電的和不導(dǎo)電的)污穢物和濕潤劑存在著復(fù)雜的相互作用，目前還不存在被普遍接受的憎水絕緣子表面污穢閃絡(luò)模型。但是，出現(xiàn)了污穢閃絡(luò)機(jī)理的定性描述，它包括這樣一些因素，即鹽遷移到水滴內(nèi)，水滴不穩(wěn)定，形成表面液絲并且當(dāng)電場足夠高時在液絲間或水滴間發(fā)生放電。
但是，在運(yùn)行中憎水性材料會經(jīng)受到污穢沉積、受潮、局部放電或高電場這樣一個動態(tài)過程，它們可能會聯(lián)合在一起使局部表面或整個表面變?yōu)闀簳r較親水的。于是，親水表面閃絡(luò)過程的許多物理性質(zhì)，即使是表現(xiàn)在局部區(qū)域或是有限的時間間隔內(nèi)，也可以適用于名義上是“憎水的”材料或表面。
附 錄 C
C.1 引言
現(xiàn)場污穢度可以由測量從現(xiàn)有的裝置和／或現(xiàn)場試驗站裝置取下的參照絕緣子的等值鹽密(ESDD)和不溶沉積物密度(NSDD)來確定。此外，如果可能，還可以在選取的原樣絕緣子上測量ESDD和NSDD，可為確定對該絕緣子所需爬距提供直接信息。同樣，對于污穢物進(jìn)行化學(xué)分析有時也是有用的。本附錄敘述了怎樣測量ESDD和NSDD，以及怎樣對污穢物進(jìn)行化學(xué)分析。
在現(xiàn)場污穢度測量中，通過使用由7個參照盤形懸式絕緣子組成的串(最好是9個盤的串，以避免端部影響)或一個最少有14個傘的參照長棒形絕緣子來使測量標(biāo)準(zhǔn)化(見圖C.1)。不帶電絕緣子串的安裝高度應(yīng)盡可能接近于線路或母線絕緣子的安裝高度。絕緣子串的各個盤或區(qū)域應(yīng)在確定的適當(dāng)?shù)臅r間間隔內(nèi)進(jìn)行監(jiān)測，例如每月(盤2／區(qū)域1)、每3個月(盤3／區(qū)域2)、每6個月(盤4／區(qū)域3)，每年(盤5／區(qū)域4)，2年后(盤6／區(qū)域5)，3年～5年后(盤7、盤8／區(qū)域6、區(qū)域7)，在預(yù)期降雨、凝露等以前。
注1：對直流應(yīng)用，分別測量表面和下表面ESDD和NSDD能是有益的。
注2：上面的盤和時間是對8.1a)辦法提出的。
注3：雖然本部分暫未繪制長棒形絕緣子的ESDD／NSDD和SPS間關(guān)系圖，但這里提供了可以用來測量長棒形絕緣子ESDD／NSDD的測量方法，是為了當(dāng)獲得足夠的實踐經(jīng)驗和試驗數(shù)據(jù)后，將長棒形絕緣子的ESDD／NSDD和SPS N關(guān)系圖補(bǔ)充入本部分。
C.2 測量污穢度必需的設(shè)備
下列設(shè)備對ESDD和NSDD的測量都是必需的。
● 蒸餾水／去離子水 ● 電導(dǎo)率儀
● 測量圓筒 ● 溫度探頭
● 外科手套 ● 濾紙
● 塑料的粘著包裝紙 ● 漏斗
● 有標(biāo)記的容器 ● 干燥器／干燥箱
● 洗滌盆 ● 天平
● 脫脂棉花／刷子／海綿
C.5 污穢物的化學(xué)分析
為了準(zhǔn)確地研究污穢條件，可對污穢物進(jìn)行定量化學(xué)分析。這種分析對鑒別可溶鹽的化學(xué)成分是有效的?？扇茺}的化學(xué)分析可以使用ESDD測量后的溶液，用離子交換色譜法(IC)、感應(yīng)耦合等離子體――光學(xué)發(fā)射分析光譜測定法(ICP)等方法進(jìn)行。分析結(jié)果可以顯示出正離子如Na＋、Ca2＋、K2＋、Mg2＋以及負(fù)離子如Cl－、SO42－、NO3－等的量。
附 錄 D
D.1 緒言
沿海地區(qū)的污染往往屬于瞬時污穢型式，出現(xiàn)在靠近海岸的地方。污穢事件持續(xù)時間可以從少于1h至大于24h。為了測定在這種情況下的污穢度，可以使用定期測量(如每隔30min到1h)或連續(xù)地測量絕緣子的表面電流的方法。另一方面可以采用測量絕緣子閃絡(luò)應(yīng)力(見D.3)的方法。對于所有這些情況，可以將得到的這些測量值與在人工鹽霧試驗中得到的值相比較，以確定現(xiàn)場等值鹽度(SES)。
在某些情況下，值得注意的是預(yù)料會產(chǎn)生干鹽層，因而對A類污穢的SPS評定方法可以使用于B類污穢。D.4對這個方法給出了某些指導(dǎo)。
D.3 用絕緣子閃絡(luò)應(yīng)力測量評定B類污穢的SES
在戶外試驗站對一個參照盤形懸式絕緣子串或參照長棒形絕緣子所進(jìn)行的連續(xù)測量以及所提供的結(jié)果是最接近運(yùn)行經(jīng)驗的。絕緣子的閃絡(luò)應(yīng)力是閃絡(luò)電壓除以絕緣子長度或絕緣子爬電距離。經(jīng)過一時間期限的結(jié)果可以表達(dá)為最低閃絡(luò)應(yīng)力或閃絡(luò)應(yīng)力和閃絡(luò)頻率間的一個關(guān)系。其試驗程序通常是用若干易爆的熔絲橋接一串中的某些絕緣子，從而閃絡(luò)以后該串就會自動加長(更多的信息見CIGRE 158[1])。然后該最低閃絡(luò)應(yīng)力就可以直接標(biāo)定相同參照絕緣子按GB／T 4585―2004進(jìn)行鹽霧試驗的結(jié)果，以得到此戶外試驗站的SES。在這個方法中，通過參照絕緣子可以把現(xiàn)場污穢度(SPS)與SES相關(guān)聯(lián)(見圖2)，在這里，閃絡(luò)而不是泄漏電流是性能的判據(jù)。另外，對試驗現(xiàn)場的參照絕緣子的其他污穢度測量(例如表面電導(dǎo)，表面泄漏電流)也可以與SPS相關(guān)聯(lián)。
注：此SES適宜于對參照絕緣子按GB／T、4585―2004的鹽霧耐受試驗，不應(yīng)直接使用它來確定對其他絕緣子設(shè)計的人工污穢試驗的污穢度(更多的信息參見[2])。
D.4 怎樣估計B類污穢的SPS
附錄A的流程圖表示了估計具有B類污穢的現(xiàn)場SPS的一般方法。分析可能的污染源和潮濕的頻度在估計SPS時是重要的。來自多種污穢度測量的數(shù)據(jù)也會有助于確定一個地點(diǎn)準(zhǔn)確的SPS。例如沿海地區(qū)，這里鹽水和導(dǎo)電霧會沉積在絕緣子表面并且不溶沉積物可能有重要影響也可能沒有重要影響，其SPS可以從運(yùn)行經(jīng)驗、ESDD、表面電導(dǎo)率或泄漏電流結(jié)果來獲得。在解釋這些結(jié)果時需要考慮每種方法的強(qiáng)度和弱點(diǎn)(更多的信息見CIGRE 158[1])。
因此，在上面的海岸的例子中，不溶沉積物是可忽略的并且參照絕緣子上會發(fā)生經(jīng)常性的濕潤，由于絕緣子表面經(jīng)常性的清潔，ESDD測量值很可能是低的。在這樣的情況下，要求有一個統(tǒng)計研究以分析所收集到的數(shù)據(jù)，并應(yīng)使用分布函數(shù)的最大似然估計。因而例如95％置信水平上的2％值可以使用作為SPS尺寸計算參數(shù)以校正很低的或很少的測量值(更多的信息參見[2])。在設(shè)計臨界裝置的絕緣時這種方法可能是特別重要的。
附 錄 E
附 錄 E
(規(guī)范性附錄)
試驗室試驗方法的使用
所使用的相關(guān)的試驗方法根據(jù)現(xiàn)場的污穢類型、絕緣子型式以及電壓類型來選取。GB／T 4585―2004和GB／T 22707中給出的試驗是直接適用于瓷和玻璃絕緣子的。直到現(xiàn)在還沒有直接適用于聚合物絕緣子的標(biāo)準(zhǔn)試驗。作為一個通用的規(guī)則，推薦固體層試驗用于A類污穢，而鹽霧試驗用于B類污穢。
使用于試驗室試驗的污穢度按3個步驟確定：
1) 提供污穢類型并按第8章和附錄C、附錄D中敘述的現(xiàn)場污穢的評定方法確定現(xiàn)場污穢度。
2) 將現(xiàn)場污穢度水平對確定SPS時的任何不足或不準(zhǔn)確性進(jìn)行校正。校正因數(shù)應(yīng)補(bǔ)償：
——在收集污穢時現(xiàn)場污穢度測量用絕緣子和被試驗絕緣子間的差別，例如傘的外形和直徑的影響；
——對現(xiàn)場污穢度測量所使用的絕緣子和被試驗的絕緣子在施加電壓類型上的差別，例如是直流還是交流電壓；
——其他重要影響。
3) 在試驗室進(jìn)行試驗時要求的污穢度是從SPS得出的，應(yīng)補(bǔ)償運(yùn)行中絕緣的實際條件與標(biāo)準(zhǔn)試驗時的條件間的差別。這些污穢度校正因數(shù)應(yīng)補(bǔ)償：
——現(xiàn)場的污穢和試驗中的污穢在污穢類型上的差別；
——現(xiàn)場的污穢和試驗中的污穢在均勻性上的差別；
——運(yùn)行中的受潮條件和試驗期間的受潮條件間的差別；
——設(shè)備裝置上的差別。
其他重要影響可以包括：
——在預(yù)期的壽命期間老化對積污和絕緣濕潤性的影響；
——為檢驗要求的污穢度耐受水平而進(jìn)行的有限次數(shù)試驗的統(tǒng)計不確定度。
這些是本過程的一般原則。校正因數(shù)值的選取取決于現(xiàn)場條件和運(yùn)行經(jīng)驗。校正因數(shù)對某些型式的絕緣子是已知的并且當(dāng)?shù)玫浇?jīng)驗時會了解的更多。只要有可能，在GB／T 26218的相關(guān)部分中會給出該因數(shù)的典型值。
經(jīng)供需雙方協(xié)議，可以考慮使用非標(biāo)準(zhǔn)的或另行規(guī)定試驗室污穢試驗方法。那些方法的更多信息可以在CIGRE 158[1]中找到。
附 錄 F
F.1 緒言
人工污穢試驗的污穢度和接收準(zhǔn)則使用了兩種方法：非隨機(jī)法和統(tǒng)計法。但是，許多應(yīng)用程序是這兩種方法的混合物。例如，在非隨機(jī)法中使用的某些因數(shù)是從統(tǒng)計研究或統(tǒng)計法中已經(jīng)忽略了的某些統(tǒng)計變量得出的。
F.2 非隨機(jī)法
非隨機(jī)法已廣泛使用于許多電氣和機(jī)械的部件、電器和系統(tǒng)的設(shè)計中。典型情況下，絕緣水平是基于現(xiàn)場污穢度和包含未知情況的安全因數(shù)的最惡劣情況的分析得出的。它假定，現(xiàn)場污穢度有一個限定的最大值，它是可能施加到絕緣子上的應(yīng)力，在圖F.1中表示作為環(huán)境應(yīng)力，(y)。同樣還假定，絕緣強(qiáng)度P(γ)可以由低于它時將不會出現(xiàn)閃絡(luò)的最小耐受污穢度來描述，此最小污穢耐受度從運(yùn)行性能或試驗室試驗來確定。因此，選取絕緣最小耐受污穢度時應(yīng)使其超過最大應(yīng)力一個安全裕度，該安全裕度的選取包含了設(shè)計者評定該強(qiáng)度和應(yīng)力參數(shù)時適當(dāng)?shù)牟淮_定度。
此方法要求對選取最大應(yīng)力水平應(yīng)有精確的現(xiàn)場污穢度測定。可能會出現(xiàn)現(xiàn)場污穢度的高估或低估，或者會在試驗污穢度和和現(xiàn)場污穢度之間關(guān)系上做出了不適當(dāng)?shù)募俣ā?span style="display:none">資料庫_工作報告_模版下載
過去這個方法的成功主要原因是由于人工污穢試驗通常給出了一個保守的結(jié)果。
考慮到確定現(xiàn)場污穢度和試驗室條件間關(guān)系的所有因素，需要謹(jǐn)慎地調(diào)整試驗，從而給出耐受性能一個正確的估計。
F.3 統(tǒng)計法
統(tǒng)計確定絕緣子尺寸需要進(jìn)行絕緣子關(guān)于電壓和環(huán)境應(yīng)力(應(yīng)力／強(qiáng)度概念)的絕緣強(qiáng)度的選擇，以滿足特定的有效性要求。這是通過評定可能的絕緣選擇的閃絡(luò)風(fēng)險和選擇一個可接受的特性曲線來進(jìn)行的。
對于參考圖F.2，這個閃絡(luò)風(fēng)險可計算如下：
● 描述絕緣強(qiáng)度的累積分布函數(shù)P(γ)即閃絡(luò)概率是作為同樣的污穢度γ的函數(shù)而得到的，而污穢度通?？捎梦鄯x應(yīng)力(即ESDD)來表示。這些數(shù)據(jù)通常來自試驗室試驗、運(yùn)行經(jīng)驗或現(xiàn)場試驗。在試驗室試驗用的SDD應(yīng)從來自運(yùn)行中的ESDD使用在附錄E中給出的原理來確定。
● 然后應(yīng)將函數(shù)P(γ)從單個絕緣子的表達(dá)式轉(zhuǎn)換為代表安裝在整個線路或線路段上的受到相同次數(shù)污穢事件作用的m個絕緣子的性能。
● 接著將這兩個函數(shù)f(γ)和P(γ)相乘，從而得到閃絡(luò)概率密度函數(shù)，并且該曲線下的面積代表了一個污穢事件期間的閃絡(luò)風(fēng)險。
● 如果每年的污穢事件已知(即沿海地區(qū)的鹽風(fēng)暴或內(nèi)陸地區(qū)的小雨或露)，每年的閃絡(luò)風(fēng)險就可以算得。
此方法要求精確地確定描述現(xiàn)場污穢度和描述絕緣子閃絡(luò)特性的那些統(tǒng)計參數(shù)。后面由試驗室在幾個(至少2個)污穢水平確定的U50和標(biāo)準(zhǔn)偏差來確定每種絕緣子型式的特性。
可使用統(tǒng)計方法的軟件包。
附 錄 G
1. 系統(tǒng)數(shù)據(jù)／要求(見第6章)
→系統(tǒng)的標(biāo)稱電壓和設(shè)備的最高電壓
→暫時過電壓的值和持續(xù)時間
→戰(zhàn)略上的重要性
→建設(shè)日期 →送電日期
→系統(tǒng)類型 →清掃 是／否 頻度：
→維護(hù)(不包括更換) →清洗 是／否 頻度：
→涂憎水層 是／否 頻度：
架空線路 變電所
→塔的型式或結(jié)構(gòu)(包括簡圖) →電器的類型
→回路數(shù)
→離地距離
→絕緣子串組的型式 →間隙
→絕緣子保護(hù)附件
2. 環(huán)境和污穢條件(見第7章)
一般信息
→線路的海拔和走廊經(jīng)過區(qū)域的圖
→線路通過的不同氣候區(qū)
→變電所的位置方向和海拔(示出穿墻套管與主導(dǎo)風(fēng)方向的相對關(guān)系)
→區(qū)域被植物、建筑物遮蔽或由于地質(zhì)特征而被遮蔽的情況
氣候
→氣候類型：溫帶的，熱帶的，赤道附近的，大陸的…
→無雨期，月
→年降雨量(mm)： 月降雨量(如有)
→主導(dǎo)風(fēng)：方向，平均風(fēng)速(km／h)： 月的數(shù)據(jù)(如有)
→露： 是／否 頻度
→霧： 是／否 頻度
→濕度： 月峰值和平均值(如有)
污穢類型
A類
→基于沙的污穢或地面灰塵(如荒漠)
→帶有大量固體沉積物(水泥除外)的工業(yè)污穢
→帶有大量水泥(或其他慢溶解的鹽)的工業(yè)污穢
→化學(xué)或工業(yè)污穢，煙塵
→農(nóng)業(yè)污穢
B類
→海上來的污穢一少量不溶物
→不同于海岸污穢的含鹽污穢一少量不溶物
→化學(xué)工業(yè)污穢，氣體，酸雨
A類和B類的混合
→指明其主要成分和它們有關(guān)的頻度
污穢水平(SPS)
→按本部分的SPS等級
→評定SPS使用的方法
→參照絕緣子的類型，其他絕緣子
→測量頻度
→調(diào)研的持續(xù)時間
→ESDD、NSDD、SES測量的年最大值(月數(shù)據(jù)，如有)
其他的限制
→雷電
→地震活動性
→破壞行為
3. 絕緣子參數(shù)
用來確定絕緣的方法
→本部分方法1
→本部分方法2
○ 是否現(xiàn)場測量?
○ 確認(rèn)的試驗方法／結(jié)果
→本部分方法3
○ 是否現(xiàn)場測量?
架空線路 變電站
→串的位置和類型 →絕緣子的位置
→絕緣子類型 →絕緣子類型(支柱，套管等)
→絕緣子材料 →絕緣子材料
→串的總長，直徑 →總長，直徑
→外形 →外形
→單個的／總的爬電距離 →總的爬電距離
→電弧距離 →電弧距離
4. 事故的詳細(xì)資料
一般信息
→日期和時間
→塔或結(jié)構(gòu)、電器、變電站的位置
→事故前／期間的氣象條件：
○ 相對濕度 ○ 暴雨
○ 雨 ○ 風(fēng)(方向，平均風(fēng)速和峰值風(fēng)速)
○ 毛毛雨 ○ 距上次降雨和上事故的時間
○ 霧／海霧 ○ 其他
○ 溫度
事故類型和觀測資料
→閃絡(luò)
→金屬部件的嚴(yán)重腐蝕
→介質(zhì)的擊穿、起痕或蝕損
→其他的可見損壞
→絕緣子上損傷的位置
→任何其他的觀測資料或評論
附 錄 H
附 錄 H
(資料性附錄)
形狀因數(shù)
形狀因數(shù)(Ff)是一無量綱因數(shù)，它是一局部爬電距離的長度(l)除以積分寬度(p)。對于絕緣子，其長度是在爬電距離的方向上，而寬度是該絕緣子圓周長，正如下面所示。
在這個情況下，F(xiàn)f是等于絕緣子圓周對局部爬電距離的比值的倒數(shù)值從絕緣子一端到計算點(diǎn)的積分。它僅取決于表面形狀而并不取決于尺寸大小。見GB／T 4585―2004。
含有均勻分布的導(dǎo)電層的表面，其總的電導(dǎo)率取決于
● 表面的電導(dǎo)率；
● Ff。
Ff給出了均勻電導(dǎo)表面(例如均勻污染和濕潤的絕緣子的表面)的電阻率／電導(dǎo)率和相同表面的總電阻／電導(dǎo)間的精確關(guān)系。
附 錄 I
附 錄 I
(資料性附錄)
爬電比距和統(tǒng)一爬電比距(USCD)間的關(guān)系
GB／T 5582―1993使用的爬電比距(SCD)是基于系統(tǒng)電壓的。對于交流系統(tǒng)，這是相對相電壓。而USCD涉及的是絕緣子承受的電壓，即對于交流系統(tǒng)是相對地電壓。爬電比距(SCD)和統(tǒng)一爬電比距(USCD)兩者都規(guī)定作為最小值。
表I.1給出了通常使用的SCD值和USCD值間的關(guān)系。
表I.1 爬電比距和統(tǒng)一爬電比距間的關(guān)系
附 錄 J
附 錄 J
(資料性附錄)
本部分章條編號與IEC／TS 60815-1：2008章條編號對照
表J.1給出了本部分章條編號與IEC／TS 60815-1：2008的章條編號對照一覽表。
表J.1 本部分章條編號與IEC／TS 60815-1：2008的章條編號對照
附 錄 K
附 錄 K
(資料性附錄)
本部分與IEC／TS 60815-1：2008技術(shù)差異及其原因
本部分與IEC／TS 60815-1：2008的技術(shù)差異及其原因見表K.1。
表K.1 本部分與IEC／TS 60815-1：2008的技術(shù)差異及其原因
表K.1 (續(xù))
