《硅襯底LED芯片應(yīng)用技術(shù)》
1技術(shù)介紹
硅襯底LED技術(shù)是在硅襯底上進(jìn)行外延生長(zhǎng)后制作LED芯片，該技術(shù)的核心是解決了因硅襯底和LED發(fā)光材料——GaN材料之間由于熱失配和晶格失配的而導(dǎo)致的應(yīng)力使得GaN出現(xiàn)裂紋的世界性難題。該技術(shù)特有的應(yīng)力緩沖層技術(shù)、通孔技術(shù)和高反射鏡技術(shù)使得硅襯底LED芯片具有更高的可靠性、更好的散熱、耐更大的電流，且由于硅襯底LED芯片需要?jiǎng)冸x生長(zhǎng)襯底，而使得其N面朝上具有單面發(fā)光的性質(zhì)，因而硅襯底LED芯片具有更好的方向光和高品質(zhì)出光。
2主要技術(shù)指標(biāo)
硅襯底LED采用垂直結(jié)構(gòu)，電流分布均勻且擴(kuò)散快，單面出光，硅襯底大功率LED光源具有高性能、高可靠性、方向光等特點(diǎn)，顏色一致性好，光斑均勻，適合于大功率LED照明和需要方向光和高品質(zhì)出光的照明領(lǐng)域。硅襯底LED技術(shù)已經(jīng)成為全球第三條藍(lán)光LED技術(shù)路線，從源頭上打破歐美日等壟斷的藍(lán)寶石LED技術(shù)和碳化硅LED技術(shù)專利壁壘。該技術(shù)在全球申請(qǐng)或獲得420多項(xiàng)專利，從可見光（藍(lán)、綠）到不可見光（紫外）的原始創(chuàng)新技術(shù)的迭代和應(yīng)用的升級(jí)，基礎(chǔ)技術(shù)水平及應(yīng)用與世界大廠實(shí)現(xiàn)“并跑”。
3應(yīng)用領(lǐng)域及案例
應(yīng)用于手機(jī)閃光燈、頭燈、礦燈、手電等移動(dòng)照明，汽車后裝和前裝照明等領(lǐng)域；以及城市照明領(lǐng)域的LED路燈、隧道燈等產(chǎn)品。
銀川市城市照明節(jié)能改造與智慧升級(jí)項(xiàng)目采用硅襯底LED路燈4.5萬盞，并配置智能城市照明控制平臺(tái)。改造后整體節(jié)電率達(dá)到79.78%，10年運(yùn)營(yíng)期預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)節(jié)電48422萬度，節(jié)省電費(fèi)2.6億元，節(jié)約電量相當(dāng)于節(jié)約標(biāo)準(zhǔn)煤19.4萬噸，減少排放碳粉塵13.17萬噸，減少排放二氧化碳48.3萬噸，減少排放二氧化硫1.45萬噸。
