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VAD工藝生產(chǎn)紅外低羥基高純石英玻璃項目生產(chǎn)工藝及設備描述

[環(huán)境影響評價報告 - 資料分享] 發(fā)表于:2025-08-19 18:23:05
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前言
本文詳細介紹了紅外低羥基高純石英玻璃項目的生產(chǎn)工藝流程,包括沉積、燒結(jié)等關(guān)鍵步驟,并列出了主要生產(chǎn)設備及其參數(shù)。
詳情

1. 生產(chǎn)工藝流程

本項目采用VAD兩步法生產(chǎn)紅外低羥基高純石英玻璃。具體工藝如下:

沉積:此過程在VAD沉積設備中進行。項目使用的四氯化硅在儲罐內(nèi)為液態(tài),液態(tài)四氯化硅通過供料柜進入四氯化硅蒸發(fā)器。蒸發(fā)器采用外部電加熱板加熱,加熱溫度為75℃,使四氯化硅氣化。再通過供氣系統(tǒng)將四氯化硅氣體、氫氣及氧氣輸送到燃燒器中,氣體燃燒發(fā)生水解反應生成的SiO2顆粒噴在旋轉(zhuǎn)種棒上,不斷沉積生成疏松體。同時通過棒體垂直方向的上下移動控制制品的外徑均勻性。此過程會產(chǎn)生設備噪聲N以及合成廢氣G(主要是未沉積的SiO2粉塵、HCl)。

該過程主要化學反應方程式如下:

2H2+O2=2H2O↑

燒結(jié):沉積后的疏松體進入真空燒結(jié)爐進行燒結(jié)處理,以進一步提高產(chǎn)品的純度和密度。燒結(jié)過程中,產(chǎn)品中的羥基進一步減少,同時產(chǎn)品強度增加。

運行期主要污染節(jié)點分析一覽表:

類別產(chǎn)生工序主要污染物處理措施
廢氣沉積SiO2粉塵、HCl布袋除塵器+堿液噴淋塔處理后25m排氣筒(DA006)排放
燒結(jié)HCl、Cl2堿液噴淋塔處理后25m排氣筒(DA001)排放
廢水堿噴淋系統(tǒng)排水pH、SS中和+混凝沉淀處理后回用至堿噴淋工序補水,不外排
純水制備濃水pH/
噪聲設備運行噪聲選用低噪設備、減振
固廢廢氣處理收集粉塵外售相關(guān)單位綜合利用
沉淀池沉渣交有關(guān)單位集中處置/
純水制備廢RO膜環(huán)衛(wèi)部門清運
廢活性炭環(huán)衛(wèi)部門清運/

2. 生產(chǎn)設備

主要生產(chǎn)設備一覽表:

序號設備名稱規(guī)格型號數(shù)量備注
1VAD沉積設備Φ460*2000mm YVA40203臺新增
2真空燒結(jié)設備Φ460*2000mm YZK40201臺新增
3脫烴爐Φ460*3000mm YVG40201臺新增
4槽沉爐/1臺新增
5供料系統(tǒng)/1臺新增
6退火爐/1臺新增
7尾氣除塵塔/1臺新增
8堿洗塔3m31臺新增
9四氯化硅儲罐3m33個新增
10純水循環(huán)系統(tǒng)160m3/h1臺新增
11堿液罐5m31臺新增

全廠儲罐設置情況見表2-6:

分類序號名稱消耗量最大暫存量儲存周期備注
原料控制指標原輔料1四氯化硅溶液113.33t/a7t19d市場外購,罐車運輸
2氫氣66萬Nm3/a//來自安道麥股份有限公司,管道輸送,濃度大于99.5%
3氧氣34萬Nm3/a//來自現(xiàn)有廠區(qū)空分站,管道運輸,濃度大于99.5%
4氮氣16.5萬Nm3/a//濃度大于99.999%
5氦氣1300Nm3/a//市場外購,50L鋼瓶裝,濃度大于99.999%
6氬氣37000Nm3/a//市場外購,50L鋼瓶裝,濃度大于99.999%
7氯氣3.47t/a100kg9d市場外購,100kg鋼瓶裝,濃度大于99.9999%
8氫氧化鈉345.53t/a4.4t4d市場外購,質(zhì)量濃度32%
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